鍺化硅技術(shù)專題,甲鍺烷氧基,硅鍺氫化物,硅鍺合金類技術(shù)資料(198元/全套)歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：198元/全套)；資料（光盤）編號：F317660敬告：我公司只提供技術(shù)資料，不能提供任何實物產(chǎn)品及設(shè)備，也不能提供生產(chǎn)銷售廠商信息。[27561-0022-0001] 雙摻雜多晶硅及鍺化硅的蝕刻 [摘要] 提供了一種用于在處理室中蝕刻襯底上的具有至少一個鍺化硅層的疊層的方法。提供了鍺化硅的蝕刻。將蝕刻劑氣體提供到處理室中，其中蝕刻劑氣體包括HBr、惰性稀釋劑、以及O2與N2中的至少一種。將襯底冷卻到40℃以下的溫度。將蝕刻劑氣體轉(zhuǎn)換成等離子體，以蝕刻鍺化硅層。[27561-0032-0002] 硅鍺氫化物以及制造和使用其的方法 [摘要] 本發(fā)明提供了新型的硅鍺氫化物化合物，它們的合成方法，它們的沉積方法和使用所述新型化合物制成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。該化合物由下式限定：(SiHn1)x(GeHn2)y，其中x是2、3或4；其中y是1、2或3；其中x y為3、4或5；其中對于該化合物中的每個原子，n1獨立地為0、1、2或3，以便滿足化合價；并且其中對于該化合物中的每個Ge原子，n2獨立地為0、1、2或3，以便滿足化合價；條件是當(dāng)y為1時n2不為0；另外的條件是當(dāng)x為3且y為1時，n2為2或3；且另外的條件是當(dāng)x為2且y為1時，n2為3。[27561-0018-0003] 純化含有氫化合物的四氯化硅或四氯化鍺的方法和裝置 本發(fā)明涉及一種純化被至少一種含氫化合物污染的四氯化硅或四氯化鍺的方法，其中所要純化的四氯化硅或四氯化鍺，以目標(biāo)方式，通過冷的等離子體來處理，和，所純化的四氯化硅或四氯化鍺從這樣被處理的相中分離。本發(fā)明還涉及一種進(jìn)行本發(fā)明方法的裝置，其包括四氯化硅或四氯化鍺的存儲和汽化設(shè)備(4.1或5.1)，其通過連接管線與反應(yīng)器(4.3或5.3)的入口連接，反應(yīng)器具有控制設(shè)備(4.4或5.4)，用于產(chǎn)生介電受阻放電，反應(yīng)器的出口通過導(dǎo)管，直接或間接通過至少一個另外的反應(yīng)器(5.5)與冷凝設(shè)備(4.5或5.11)連接，冷凝設(shè)備的下游是收集容器(4.6或5.12)，其通過排出管線(4.6.2或5.12.1)與蒸餾設(shè)備(4.8或5.13)連接，如果適合，配有加料管線(4.6.1)至設(shè)備(4.1)。[27561-0024-0004] 低溫二氧化鍺-有機改性硅酸鹽復(fù)合材料的制備方法 [摘要] 一種低溫二氧化鍺-有機改性硅酸鹽復(fù)合材料的制備方法，首先將γ-(2，3環(huán)氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷、乙醇和去離子水混合，然后加入鹽酸作為溶液A；然后將異丙醇鍺和2-甲氧基乙醇混合作為溶液B；其次將溶液A和溶液B混合，得到復(fù)合基質(zhì)母液；在復(fù)合基質(zhì)母液中加入4-羥基偶氮苯小分子得到懸濁液；利用旋轉(zhuǎn)涂層工藝將懸濁液沉積在石英玻璃基片上，然后將沉積好的薄膜樣品加熱處理即可。本發(fā)明采用改進(jìn)溶膠-凝膠技術(shù)結(jié)合低溫有機-無機復(fù)合技術(shù)實現(xiàn)具有合成溫度低、工藝要求簡單、而且重復(fù)性好的特點，利用二氧化鍺和有機改性硅酸鹽為基質(zhì)的低溫有機-無機復(fù)合薄膜材料，通過摻入有機染料偶氮苯小分子功能基團(tuán)以實現(xiàn)具有光存儲功能同時集光波導(dǎo)特性于一身的光子復(fù)合材料。[27561-0001-0005] 硅鍺/絕緣體上外延硅互補金屬氧化物半導(dǎo)體及其制造方法 [摘要] 本發(fā)明提供了一種制造簡單SiGe/SOI結(jié)構(gòu)的方法。尤其是，通過生長SiGe外延層，然后在550-1050℃之間的溫度使其弛豫退火，而將SOI的頂硅層轉(zhuǎn)化為Si1-xGex。該溫度處理使SiGe弛豫，以將Ge頂硅層轉(zhuǎn)化為弛豫的SiGe層并且消除了SOI膜中的缺陷。因此，可得到缺陷密度非常低的晶體。該SiGe層覆蓋有外延的硅層。因為該硅層生長在弛豫的SiGe上，所以頂硅層是應(yīng)變的硅層。因此，得到了更高的電子和孔穴遷移率。埋入的氧化物界面作為SiGe弛豫的緩沖區(qū)。不需要緩變的SiGe層。結(jié)果是，該結(jié)構(gòu)的缺陷密度實質(zhì)上低于現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)的缺陷密度。[27561-0007-0006] 一種對硅/鍺的硅化學(xué)選擇腐蝕方法 [摘要] 一種對硅/鍺硅化學(xué)選擇腐蝕方法，采用NH4OH溶液對硅/鍺合金的硅進(jìn)行化學(xué)選擇性腐蝕。本發(fā)明所提出采用NH4OH溶液從鍺硅上選擇腐蝕硅的方法。此方法不僅具有很高的選擇腐蝕比，而且與常規(guī)微電子集成電路工藝兼容，且溶液無毒、還具有工藝簡單等優(yōu)點。[27561-0035-0007] 監(jiān)控鍺硅外延反應(yīng)腔設(shè)備參數(shù)變化的方法 [摘要] 本發(fā)明公開了一種監(jiān)控鍺硅外延反應(yīng)腔設(shè)備參數(shù)變化的方法，包括如下步驟：(1)編輯鍺硅淀積程序時將淀積分為不同的步數(shù)，每一步淀積的每一層膜不一樣，或摻入鍺烷，或不摻入鍺烷；(2)編輯對應(yīng)的膜厚測量程序，不摻鍺烷的層次監(jiān)控設(shè)備溫度，摻鍺烷的層次監(jiān)控鍺烷流量；(3)對設(shè)備溫度、鍺烷流量拉偏，畫出不同層膜厚隨溫度、鍺烷流量的變化曲線；(4)當(dāng)測量結(jié)果異常時，根據(jù)上述膜厚隨溫度、鍺烷流量的變化曲線，將每一層膜厚調(diào)整至目標(biāo)值。本發(fā)明利用鍺硅淀積程序和膜厚測試程序的配合，對設(shè)備溫度和鍺烷流量的變化及時監(jiān)控，通過膜厚的變化反映出設(shè)備參數(shù)的變化，利于發(fā)現(xiàn)工藝參數(shù)變化的根本原因，以恢復(fù)設(shè)備的初始狀態(tài)。[27561-0020-0008] 用于Ⅲ族氮化物基器件的硅碳鍺(SiCGe)襯底 [摘要] 本發(fā)明提供了用于由III族氮化物材料系統(tǒng)形成的電子器件的襯底，該襯底包含硅碳層以及在該硅碳層上的硅碳鍺層，該硅碳層和硅碳鍺層形成了用于由III族氮化物材料系統(tǒng)形成的器件的襯底。[27561-0016-0009] 具有鍺化硅材料和受應(yīng)力氮化硅層的襯底 [摘要] 一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法包括在襯底上提供攙雜硅區(qū)域，并且在襯底上鄰近該攙雜硅區(qū)域形成鍺化硅材料。受應(yīng)力氮化硅層被形成在襯底上的攙雜硅區(qū)域的至少一部分上。鍺化硅層和受應(yīng)力氮化硅層在襯底上的攙雜硅區(qū)域中引入應(yīng)力。在一個版本中，半導(dǎo)體器件具有源極區(qū)域和漏極區(qū)域的晶體管，其中源極區(qū)域和漏極區(qū)域具有鍺化硅材料，并且攙雜硅區(qū)域形成配置為在源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間導(dǎo)通電荷的溝道。受應(yīng)力氮化硅層形成在該溝道的至少一部分上，并且根據(jù)期望的器件特性可以是受拉應(yīng)力或壓應(yīng)力的層。[27561-0017-0010] 化學(xué)氣相淀積生長摻碳硅鍺合金緩沖層及生長鍺薄膜方法 [摘要] 化學(xué)氣相淀積生長摻碳硅鍺合金緩沖層及生長鍺薄膜方法，在700～850℃的襯底溫度下，以GeH4、C2H4為反應(yīng)氣源，保持腔體壓強10～100Pa，C2H4分壓0.01～0.15Pa，GeH4分壓0.10～1.10Pa，氣源與襯底外擴(kuò)的Si發(fā)生外延反應(yīng)，結(jié)合外延層中的Ge向襯底擴(kuò)散，最終在襯底表面生長一層Ge組分漸變的Si1-xGex：C緩沖層，緩沖層的厚度為0.5～10微米；繼而生長Ge薄膜；尤其是在400～600℃下保持腔體壓強15～100Pa，GeH4分壓0.17～1.11Pa，在Ge組分漸變的Si1-xGex：C緩沖層上外延Ge薄膜。該緩沖層的存在，在Si襯底上形成了一系列的低失配界面，實現(xiàn)位錯密度和熱失配的遞減，從而實現(xiàn)連續(xù)的應(yīng)變弛豫。[27561-0014-0011] 具有鎳鍺硅化物柵極的MOSFET及其形成方法[27561-0021-0012] 應(yīng)變硅CMOS晶體管的原位摻雜硅鍺與碳化硅源漏極區(qū)[27561-0009-0013] 一種硅鍺氧化物復(fù)合納米線的制備方法[27561-0005-0014] 含硅鍺層的互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件和基片及形成方法[27561-0011-0015] 諸如鍺硅碳化物波導(dǎo)的波導(dǎo)及其制作方法[27561-0031-0016] 監(jiān)控鍺硅外延反應(yīng)腔基座安裝中心化的方法[27561-0013-0017] 用低能量等離子體增強化學(xué)氣相沉積法形成高遷移率硅鍺結(jié)構(gòu)[27561-0003-0018] 制造鍺摻雜的二氧化硅用的原料及制造方法[27561-0019-0019] 利用雙掩埋氧化物絕緣體上硅晶片的嵌入硅鍺及其形成方法[27561-0023-0020] 通過氧化掩埋多孔硅層形成絕緣體上硅鍺結(jié)構(gòu)[27561-0026-0021] 特制的功能化硅和/或鍺的表面[27561-0012-0022] 具有被含有烯烴殘基的甲硅烷氧基或甲鍺烷氧基所取代的環(huán)戊二烯基配體的茂金屬催化劑[27561-0033-0023] 硅鍺氫化物以及制造和使用其的方法[27561-0015-0024] 含有在4-、5－、6－或7-位被甲硅烷氧基或甲鍺烷氧基取代的茚基部分的金屬茂催化劑[27561-0002-0025] 硅鍺/硅的化學(xué)氣相沉積生長方法[27561-0029-0026] 用于連續(xù)制備高純度四氯化硅或高純度四氯化鍺的反應(yīng)器、設(shè)備和工業(yè)方法[27561-0027-0027] 通過陽極化埋置p 硅鍺層獲得的應(yīng)變絕緣體上硅[27561-0010-0028] 使用含碳硅和鍺化硅外延源/漏極的高性能應(yīng)力增強金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管及制造方法[27561-0030-0029] 混合圖形化單晶硅的絕緣層上鍺結(jié)構(gòu)、方法及應(yīng)用[27561-0025-0030] 等離子輔助反應(yīng)熱化學(xué)氣相沉積法制備微晶硅鍺薄膜[27561-0008-0031] 半導(dǎo)體襯底、場效應(yīng)晶體管、鍺化硅層形成方法及其制造方法[27561-0028-0032] 制造硅化鍺的方法及半導(dǎo)體器件[27561-0034-0033] 氧化增強的亞穩(wěn)態(tài)硅鍺膜層[27561-0006-0034] 采用鍺或銻預(yù)無定形注入及清洗的鈦硅化物方法[27561-0004-0035] 用于制備石英玻璃的氯化鍺和硅氧烷原料和方法[27561-0036-0036] 形成鍺硅化物層的方法、半導(dǎo)體裝置、制造該裝置的方法查詢更多技術(shù)請點擊： 中國創(chuàng)新技術(shù)網(wǎng)（http://www.887298.com） 金博專利技術(shù)網(wǎng)（http://www.39aa.net） 金博技術(shù)資料網(wǎng) （http://www.117298.com） 購買操作說明（點擊或復(fù)制） （http://www.39aa.net/index.php?gOo=help_send.dwt） 本部（遼寧日經(jīng)咨詢有限公司技術(shù)部）擁有各種專利技術(shù)、技術(shù)文獻(xiàn)、論文資料近20萬套500多萬項，所有專利技術(shù)資料均為國家發(fā)明專利 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