一、常規(guī)參數(shù)：功率：3-12WLED芯片：晶元燈座：E27/GU10電壓：100-250V色溫：2700-9000K發(fā)光角度：22/38/60度溫升：30-40度面罩材料：PC壽命：50000小時認(rèn)證：CE RoHS保質(zhì)：2年 二、圖片：三、發(fā)光二極管的檢測 1．普通發(fā)光二極管的檢測（1）、用萬用表檢測。利用具有 10k 擋的指針式萬用表可以大致判斷發(fā)光二極管的好壞。正常時，二極管正向電阻阻值為幾十至200k ,反向電阻的值為 。如果正向電阻值為0或為 ，反向電阻值很小或為0，則易損壞。這種檢測方法，不能實地看到發(fā)光管的發(fā)光情況，因為 10k 擋不能向LED提供較大正向電流。如果有兩塊指針萬用表（最好同型號）可以較好地檢查發(fā)光二極管的發(fā)光情況。用一根導(dǎo)線將其中一塊萬用表的 + 接線柱與另一塊表的 - 接線柱連接。余下的 - 筆接被測發(fā)光管的正極（P區(qū)），余下的 + 筆接被測發(fā)光管的負(fù)極（N區(qū)）。兩塊萬用表均置 10 擋。正常情況下，接通后就能正常發(fā)光。若亮度很低，甚至不發(fā)光，可將兩塊萬用表均撥至 1 若，若仍很暗，甚至不發(fā)光，則說明該發(fā)光二極管性能不良或損壞。應(yīng)注意，不能一開始測量就將兩塊萬用表置于 1 ，以免電流過大，損壞發(fā)光二極管。 （2）、外接電源測量。用3V穩(wěn)壓源或兩節(jié)串聯(lián)的干電池及萬用表（指針式或數(shù)字式皆可）可以較準(zhǔn)確測量發(fā)光二極管的光、電特性。為此可按圖10所示連接電路即可。如果測得VF在1.4～3V之間，且發(fā)光亮度正常，可以說明發(fā)光正常。如果測得VF=0或VF 3V，且不發(fā)光，說明發(fā)光管已壞。 2．紅外發(fā)光二極管的檢測 由于紅外發(fā)光二極管，它發(fā)射1～3 m的紅外光，人眼看不到。通常單只紅外發(fā)光二極管發(fā)射功率只有數(shù)mW，不同型號的紅外LED發(fā)光強(qiáng)度角分布也不相同。紅外LED的正向壓降一般為1.3～2.5V。正是由于其發(fā)射的紅外光人眼看不見，所以利用上述可見光LED的檢測法只能判定其PN結(jié)正、反向電學(xué)特性是否正常，而無法判定其發(fā)光情況正常否。為此，最好準(zhǔn)備一只光敏器件（如2CR、2DR型硅光電池）作接收器。用萬用表測光電池兩端電壓的變化情況。來判斷紅外LED加上適當(dāng)正向電流后是否發(fā)射紅外光。其測量電路如圖11所示。 四、LED使用靜電敏感注意事項： 藍(lán)光、純綠光、藍(lán)綠光、白光、紫光、紫紅光發(fā)光二極管屬于一級防靜電敏感器件，在手持和封裝生產(chǎn)過程中請注意采取適當(dāng)?shù)姆婪洞胧韵聝H供參考：必須能防止靜電產(chǎn)生：組裝人員操作時需穿戴防靜電服裝(如防靜電衣服、帽子、鞋子、指套或手套等)。必須能迅速將其表面或內(nèi)部的靜電散逸：組裝操作人員需配戴防靜電手腕帶。能提供屏蔽保護(hù)受靜電突然放電或電場沖擊：　　?、俳M裝臺(工作臺)需使用防靜電臺墊，且接地?！　　、谑⒀bLED需使用防靜電元件盒?！　　、劾予F、切腳機(jī)、錫爐（或自動回流焊設(shè)備）均需接地。作業(yè)過程中，盡可能避免直接觸摸發(fā)光管之管腳，取放時盡可能觸拿膠體部分。接地措施應(yīng)完全防止靜電產(chǎn)生，工作臺、烙鐵、切腳機(jī)、錫爐(或自動回流焊設(shè)備)之接地，必須用粗的鐵線引入泥土內(nèi)，,在鐵線未端系上大鐵塊，埋入地表1米以下，各接地線均需與主線連接在一起，操作人員配戴的靜電環(huán)若有引出線的，亦需將引出線接通埋地線上。1.產(chǎn)品防靜電 在絕緣的地面上，人體身上的靜電可達(dá)到幾千伏甚至上萬伏，若人體靜電超出2-3KV，接觸金屬時會產(chǎn)品會產(chǎn)生靜電擊穿。所以在操作和使用如LED這樣的電子產(chǎn)品，放靜電尤為重要。在廠區(qū)，應(yīng)該穿靜電服與靜電鞋及安裝檢測防靜電服和防靜電鞋效果的檢測儀器和設(shè)備. 操作臺：在防靜電工作區(qū)內(nèi)處理靜電敏感元件 儲存：用靜電袋或容器運輸儲存 檢測：定期檢測所有防靜電措施是否正常，確定生產(chǎn)及供應(yīng)商正確操作 五、發(fā)光二極管的產(chǎn)業(yè)分工： 發(fā)光二極管組件依其制作過程可分為上游晶圓制作(單芯片與磊芯片的生產(chǎn)與制造)、中游晶粒制作(將磊芯片經(jīng)過制作電極、平臺蝕刻等程序切割出LED晶粒)及下游封裝(將晶粒封裝成發(fā)光器件)，具體工藝流程為： 外延片工藝：襯底 結(jié)構(gòu)設(shè)計 緩沖層生長 N型GaN層生長 多量子阱發(fā)光層生長 P型GaN層生長 退火 檢測（光熒光、X射線） 外延片芯片工藝： 外延片 設(shè)計、加工掩模版 光刻 離子刻蝕 N型電極（鍍膜、退火、刻蝕） P型電極（鍍膜、退火、刻蝕） 劃片 芯片分檢、分級 包裝封裝工藝：封裝 擴(kuò)晶 點銀漿（絕緣膠） 固晶 烘干 焊線 封膠（環(huán)氧樹脂） 烘干 半切 電性能檢測 全切 測試分選 包裝