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新聞資訊：
雷迅AM3-20/2+NPE-S，AM1-80/1壓敏電阻的最大參考電壓應由被保護電子設(shè)備的耐受電壓來確定，應使壓敏電阻的殘壓低于被保護電子設(shè)備的而損電壓水平，即（Ulma）max≤Ub/K，上式中K為殘壓比，Ub為被保護設(shè)備的而損電壓。2）當線圈流過瞬時大電流時，磁芯不要出現(xiàn)飽和。
產(chǎn)品型號
雷迅AM3-20/2+NPE-S，AM1-80/1它是以ZnO為主要成分的金屬氧化物半導體非線性電阻，當作用在其兩端的電壓達到一定數(shù)值后，電阻對電壓十分敏感。它的工作原理相當于多個半導體P-N的串并聯(lián)。壓敏電阻的特點是非線性特性好（I=CUα中的非線性系數(shù)α），通流容量大（～2KA/cm2），常態(tài)泄漏電流?。?0-7～10-6A），殘壓低（取決于壓敏電阻的工作電壓和通流容量），對瞬時過電壓響應時間快（～10-8s），無續(xù)流?！　∈蟹览字行?BR>