6寸單晶硅片技術(shù)參數(shù)1.Type/類型：P2.尺寸：125*125 0.4mm3.直徑： 150 0.4mm4.厚度： 200 20 m5.電阻率：1.0 3.0 cm6.少子壽命 10 s7.氧含量 1 1018atoms/cm38.碳含量 5 1016atoms/cm39.彎曲度： 30 m10.TTV: 35 m11.位錯(cuò)密度： 1000/cm 12.表面、邊緣晶向： 100 1.013.崩邊：長(zhǎng)度 0.4mm、深度 0.8mm，每片不超過(guò)2個(gè)(no more than 2 per piece wafer)，間隔 30mm14.缺口：長(zhǎng)度 1mm、深度 0.3mm，每片 1個(gè)(no more than 1 per piece wafer)15.晶片無(wú)裂紋、孔洞和明顯刀痕及凹坑